氮化镓微波、毫米波二极管

采用氮化镓异质结构和凹槽阳极技术，解决了肖特基二极管低开启电压击穿降低问题，具有低损耗、高功率的优点，主要应用于雷达、5G通信基站、无线能量传输等领域。决了国内雷达限幅器领域的“卡脖子”问题。

 8英寸650V-1200V氮化镓电力电子晶体管量产技术

采用CMOS兼容的硅基氮化镓增强型晶体管技术，解决了8英寸硅基氮化镓高良率晶圆外延生长和工艺制造的难题，实现了8英寸650V、900V和1200V氮化镓电力电子晶体管的工艺制造，具有高效能、小型化的优点，主要应用于高效电力转换场景，包括快充、家电、EV、光伏逆变和工业机器人领域。

 NoC高可靠通信架构技术

该高可靠通信架构设计技术采用集成电路互连线延时建模技术、低冗余代价可靠性系统设计方法和可靠性性能仿真技术，同步解决了针对串扰问题的可靠性设计目标、可靠性迭代设计优化方法、可靠性通信架构性能评估方法等可靠性设计问题。该技术有效的解决了物理仿真和系统错误向量仿真方法的结合问题，具备面向具体工程应用的能力，能有效的对可靠性设计进行评估和指导，达到了国际领先水平。

功率半导体技术

功率半导体技术是节能减排的基础技术和核心技术；是信息产品、计算机、消费电子和汽车产业的基础产品，是功率电子学研究的主要对象。随着节能减排为核心的各种国际协议的确立与推进，功率半导体应用范围已从传统的工业控制和4C产业（计算机、通信、消费类电子产品和汽车），扩展到新能源（风电、太阳能）、轨道交通、智能电网等新领域。

目前，主流的中高压功率器件有超级结MOSFET和IGBT器件，其中前者主要用于500V~900V耐压，较高工作频率的应用场景，当前的主要技术瓶颈在于如何缩小器件元胞尺寸；后者主要用于600V~6500V耐压等级，大功率的应用场景，其主要需要解决的技术难题在于超薄晶圆加工技术。

IGBT（预研产品）

1700V/100A Si IGBT预研产品

SJ-MOS 分立器件（预研产品）

650V Si超结MOSFET器件