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西电广研院前沿学术报告(六十六) ——宽禁带氧化物半导体材料与器件相关研究

发布时间:2020-12-07 17:10:27来源:育人中心 点击:

报告人 常晶晶 教授 时间 12月08日 10:30
地点 B5-302 报告时间 2020-12-08 10:30:00


报告名称:宽禁带氧化物半导体材料与器件相关研究

人:常晶晶 教授

报告时间:20201208 1030

报告地点:B5-302


报告人介绍:

常晶晶博士,教授,博士生导师,国家高层次人才计划入选者,中国科协青年人才托举工程入选者,陕西省科协青年托举人才,中国真空学会电子材料与器件专委会副秘书长,陕西省重点科技创新团队核心成员,西安市侨联委员,校学术委员会委员,西电侨联秘书长,留联会副会长,学部学位评定委员会委员,学院党委委员,教学指导委员会委员,教授委员会委员等。20106月在四川大学获得理学学士学位,之后在新加坡国立大学攻读博士学位,期间前往新加坡材料研究与工程研究所(IMRE)从事博士课题研究。2014年博士毕业后,继续在新加坡国立大学材料科学与工程系从事博士后研究员工作。2015年通过西安电子科技大学“华山学者菁英人才计划”加入微电子学院。2017年入选中国科协青年人才托举工程。20179月在中国大连高级经理学院参加了青年科技领军人才国情研修班培训学习。近年来主要从事有机及金属氧化物半导体晶体管电子器件的制备及研究,柔性印刷器件工艺的优化,有机及钙钛矿太阳能电池的研究工作等。截止目前,在Advanced MaterialsAdvanced Energy MaterialsACS Energy LetterAdvanced ScienceAdvanced Electronic MaterialsNano EnergyApplied Physics Letters等国际核心期刊上发表SCI论文140余篇,被引用3000余次,其中一作及通讯90余篇,中科院一区90余篇,部分研究成果被Materials Views ChinaSynfactsX-MOL等网站作为研究亮点进行报道,十多篇文章入选年度热点文章,另有七篇ESI高被引文章,申请人还担任四十多个国际期刊的审稿人及仲裁人。授权新加坡、美国发明专利各一项,中国专利三项,申请中国专利二十余项。主持参与国家自然科学基金、国家重点研发计划等项目二十余项,包括技术成果转化三项。担任国家自然科学基金、北京市自然科学基金、陕西省科技厅项目、江苏省科技厅项目、江西省科技厅项目、河北省科技厅项目、河南省科技厅项目等评审专家。参加国际会议四十余次,包括二十余次邀请报告。担任Springer-Nature出版社Journal of Materials Science-Materials in Electronics客座编辑,中国微米纳米技术学会高级会员,中国光学工程学会专家会员等。入选2018年福布斯中国教育领域30岁以下精英榜单,2018年科学中国人年度人物电子工程领域提名人等。

报告简介:

宽禁带氧化物半导体因其禁带宽度大、迁移率高、成本低、稳定性好等优势在透明电子、消费电子、日盲探测、耐高温高压器件等领域展现出巨大的潜力。本报告将就宽禁带氧化物半导体在显示驱动、瞬态电子、自驱动电子等领域的发展做一个介绍。同时对我们团队在低维氧化镓、氧化镓性能探索及p型实现途径、高性能氧化物电子器件、光照探测及辐照探测以及在光电器件中的应用等成果做一个介绍。最后对未来发展进行展望。


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