近日，在2024年武汉九峰山论坛上，（以下简称“西电广州研究院”）第三代半导体创新中心李祥东教授展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件，器件主要包含几个突出优势：

● 调控外延工艺，外延片不均匀性控制在4%以内；

● HEMTs器件的cp测试良率超过95%；

● 击穿电压轻松突破2000 V。

据李祥东教授介绍，团队通过长时间的研究与试验，成功实现了外延片不均匀性的极低控制，确保了高良率。同时，所制备的HEMTs器件在性能上取得了显著突破，击穿电压突破了2000V，在8英寸GaN功率HEMT领域展现出色的耐压能力。

据悉，该8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆器件具有标志性意义，目前200V以下以及650V左右的GaN功率HEMT已在8英寸晶圆线上实现了量产，然而在8英寸线上实现2000V级别的GaN器件的展示尚属首次。

8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆是西电广州研究院在电力电子器件技术上的又一重要创新，其成本将极具竞争优势。一方面，由于转向8英寸晶圆，每片GaN HEMTs晶圆的芯片数将比6英寸晶圆多近2倍，GaN器件成本与6英寸方案相比将大幅下降。另一方面，采用蓝宝石衬底可以大幅提升GaN耐压，市场应用从消费类转向工业和汽车等领域，需求进一步打开，而随着8英寸蓝宝石衬底制备工艺的日趋成熟和大批量出货，氮化镓器件成本也有望进一步下降。

未来，西电广州研究院将继续秉承科学创新、务实发展的理念，加强与国内外半导体领域的研究机构和领域专家的合作与交流，持续推动半导体技术的创新与应用。

关于西安电子科技大学广州第三代半导体创新中心

广州第三代半导体创新中心是广州开发区管理委员会与西安电子科技大学共建的重大产业创新平台。聚焦大尺寸氮化镓材料外延生长、氮化镓微波毫米波器件与集成电路、氮化镓电力电子器件与集成电路等技术领域，建设高标准的研发代工公共服务平台和产业支撑体系，建设中试线，进行工程化技术开发，积极进行科技成果转化，孵化初创企业，促进第三代半导体上下游相关产业公司和人才在广州开发区聚集，协助推进第三代半导体产业链在广州开发区落地。