2月28日，广东省发展与改革委员会官方网站发布关于2022年区域协调发展战略专项资金（基建投资及配套）安排计划的公示，申报半导体及集成电路公共服务平台和创新平台项目立项——氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台。

本平台由我院弓小武教授团队所搭建，以技术研发为主，拟解决第三代半导体GaN、SiC功率器件和模块在封装结构、材料和散热方面存在的技术问题，减低器件和模块的的寄生参数、提高器件散热能力，探索实现高端、可定制第三代半导体器件和模块封装工艺量产技术，为封装出高性能的、良率高的第三代半导体器件和模块进行技术攻关。平台将辅助一批企业进行高可靠性功率器件器件的研制及定制产品的封装，提升第三代半导体功率器件产品性能，推动第三代半导体功率器件的全面应用，有效带动社会经济增长。

获批公示网页链接：http://drc.gd.gov.cn/ywgs/content/mpost_3835036.html

弓小武，教授，博士生导师。团队核心成员，氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台负责人。长期致力于功率半导体器件及功率集成电路等方面的研究。前新加坡英飞凌科技公司技术骨干，获授权中国发明专利21项、美国专利58项、德国专利13项。曾获得英飞凌科技公司总裁杰出贡献奖。也曾是英飞凌科技公司专利委员会成员。