校企双向奔赴汇聚合力，产研同心一力赋能发展。

10月11日下午， “深科技-西电广研院先进制造技术创新中心”年度工作会在（以下简称“广研院”）隆重举行。深圳长城开发科技股份有限公司（以下简称“深科技”）董事长周庚申、高级副总裁于化荣、广研院党委书记刘丰雷、院长助理吕鹏及教师代表等人出席了工作会。会议由广研院副院长马博主持。

会议中，先进制造技术创新中心执行主任张大兴从平台建设、学术交流/技术培训、科研项目、人才培养/师资建设和公共事务等方面对中心一年来的工作进行了汇报。一年来，中心发展步伐蹄疾步稳，各项任务压茬推进，在平台建设方面，申请获批广州市“四化”重点赋能平台，在科研项目方面新立项科研项目4项，已结题项目4项， 1项项目成果已开始复制应用。

于化荣对创新中心一年来取得的成果给予了肯定，对广研院给予中心建设的各项支持的表示了感谢。于总介绍了公司一年来的业务发展情况，企业在海外业务需求不断提高的情况下，对工业智能化相关技术的需求越来越强烈，希望创新中心继续固本培元、乘势而上，不断延伸创新边界，加强广研院技术成果的泛化和扩展应用。

刘丰雷感谢了深科技对创新中心工作的大力支持，介绍了广研院一年来的发展情况和新的成果转化模式，期望创新中心在新的成果转化模式下加快成果的落地应用和产业化，为公司创造价值，为地区、国家乃至国际相关技术领域的发展贡献力量。

周庚申在结束致辞中高度评价了创新中心成立以来所取得的卓越成果，对广研院研究团队为深科技解决了诸多技术难题表示感谢，肯定了广研院合伙人成果转化模式的创新性，展望了双方在人才培养和在新的成果转化模式下广阔的发展前景。

在随后的技术交流环节中，何艳静、李鑫、胥军和夏成硕老师分别做了“碳化硅功率器件技术发展及展望”、“无源泛在感知系统”、“生产调度与物料配送协同优化算法”和“基于数字孪生的传感器数据合成与检测”四场学术报告，介绍了广研院在此领域的最新研究成果。与会嘉宾一起对技术的应用前景进行了探讨，期盼能在新的成果转化模式下开展更深入的合作。

工作会议后，在刘丰雷书记的陪同下，与会嘉宾一起参观了“氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术实验室”、“先进制造技术创新中心实验室”和“第三代半导体创新中心”。第三代半导体创新中心执行主任刘志宏介绍了第三代半导体创新中心最新的工作进展和中试线建设运营情况。

据悉，深科技-西电广研院先进制造技术创新中心是与深圳长城开发科技股份有限公司共建的产学研用深度融合创新平台。根据 “面向国家战略需求、面向世界科技前沿”方针，创新中心将围绕、成果转化及人才培养，重点打造先进制造技术研发、专业人才培养、产业产品培育、公共技术等四大平台。