近日，何梁何利基金2021和2022年度颁奖大会在北京隆重举行。2021和2022年度何梁何利基金科学与技术奖共授予112名杰出科技工作者。广州第三代半导体创新中心主任张进成荣获“2021年度科学与技术创新奖”。

张进成，男，西安电子科技大学副校长，国家自然基金杰出青年基金获得者，教育部长江学者特聘教授。分别于1998年、2001和2004年在西安电子科技大学取得学士、硕士和博士学位，2001年留校任教。长期从事氮化镓、氧化镓、金刚石等宽禁带与超宽禁带半导体高功率器件与电路研究，在高功率与低损耗新型异质结构、射频高功率器件与电路、高功率优值电力电子器件等方面取得一系列重要创新成果，发表论文100余篇，总引用超过10000次，授权发明专利100余项，出版专著3部。研究成果入选“十三五”国家科技成就展，广泛应用于北斗导航卫星、5G通信基站、舰载电子对抗等多项国家重大工程。获国家技术发明二等奖2项、何梁何利基金科学与技术创新奖1项、创新团队奖1项、省部级科学技术一等奖6项。

据悉，何梁何利基金由香港爱国金融家何善衡、梁銶琚、何添、利国伟于1994年创立，旨在奖励中国杰出科学家，服务于国家现代化建设。29年来，共遴选奖励1526位杰出科技工作者，成为我国社会力量创建科技奖项的成功范例，为激发我国科技发展的活力、培养自主创新人才发挥了积极作用。

为深度融入粤港澳大湾区经济社会发展，西安电子科技大学与广州市黄埔区于2021年发起成立广州第三代半导体创新中心，在首席科学家、中国科学院院士郝跃教授的指导下，创新中心坚持“高起点定位、高标准建设，高质量发展”理念，目前已建成国际领先水平的氮化镓功率器件、射频器件及集成电路的中试研发平台和共享服务平台，已形成包括院士、杰青、长江、优青等国家级人才在内30余人的高水平研发团队，研发成果已在多项国家重大工程中得到应用。面向未来，创新中心将持续立足国际前沿产出高水平原创成果，不断聚集海内外杰出优秀人才，卓力推进第三代半导体科研成果转化与产业化，全力服务大湾区社会经济发展，为大湾区打造“中国集成电路产业第三极”贡献力量。